供应增强型 MOSFET GM3100 SOT-23 30V N沟道MOS管

供应增强型 MOSFET GM3100 SOT-23 30V N沟道MOS管

N沟道MOS管 GM3100的极限参数：

• 漏极-源极电压：30V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：8A
• 漏极电流-脉冲：20A
• 总耗散功率：1400mW
• 结温：150℃
• 焊接温度/焊接时间：260℃/10S
• 存储温度：-55~+150℃

N沟道MOS管 GM3100 关于部分供电MOS计算方法：

     电路如图，这里常见MOS的S极输出电压算与输入电压没有关系，和431上端的电阻也无关系，与图中的VCC 也无关系（R1/R2的VCC 有效，除外）

Vout=Vref X (Ra+Rb)/Ra

而Vref仅由R1、R2决定

R1 R2 Ra Rb四个电阻的人为修改，均可直接改变MOS输出电压

其实 等器件内部也就是这样的