双N沟道场效应晶体管 EMB45A06G SOP-8 贴片式60VMOS管
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双N沟道场效应晶体管 EMB45A06G SOP-8 贴片式60VMOS管
贴片式60VMOS管 EMB45A06G的主要参数：
贴片式60VMOS管 EMB45A06G的极限参数：
贴片式60VMOS管 EMB45A06G的热阻：
贴片式60VMOS管 EMB45A06G的电气特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.2 | |
| 栅极漏电流 | IGSS |
|
|
±100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) |
|
40 | 45 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss |
|
945 |
|
pF |
| 输出电容 | Coss |
|
81 |
|
|
| 反向传输电容 | Crss |
|
56 |
|
|
| 栅源电荷密度 | Qgs |
|
3.3 |
|
nC |
| 栅漏电荷密度 | Qgd |
|
5.1 |
|
|
| 开启延迟时间 | td(on) |
|
12 |
|
nS |
| 上升时间 | tr |
|
8 |
|
|
| 关断延迟时间 | td(off) |
|
20 |
|
|
| 下降时间 | tf |
|
7 |
|
EMB45A06G
杰力
SOP-8
无铅环保型
贴片式
单件包装
中功率
