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超小型封装 N-MOS管 EMB27N03K TSOP-6 30V N沟道增强型晶体管

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

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超小型封装 N-MOS管 EMB27N03K TSOP-6 30V N沟道增强型晶体管


N沟道增强型晶体管 EMB27N03K的极限参数：


N沟道增强型晶体管 EMB27N03K的极限参数：

参数/测试条件
 符号 数值 单位
漏极-源极电压
 BVDSS 30 V
栅极-源极电压
 VGS ±20
漏极电流-连续
 TA=25℃ ID
 6 A
TA=70℃ 4
漏极电流-脉冲
 IDM 24
功耗
 TA=25℃
 PD
 1.25 W
TA=70℃
 0.8
温度范围
 Tj,Tstg -55~150 ℃


N沟道增强型晶体管 EMB27N03K的电气特性：



型号/规格

EMB27N03K

品牌/商标

杰力

封装形式

TSOP-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率