EMB26N10G SOP-8 N沟道场效应管 100V/9A 贴片MOS管

EMB26N10G SOP-8 N沟道场效应管 100V/9A 贴片MOS管

贴片MOS管 EMB26N10G的主要参数：

• B_VDSS：100V
• R_DSON(MAX)：30mΩ
• I_D：9A

贴片MOS管 EMB26N10G的极限参数：

• 漏极-源极电压：100V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：9A
• 漏极电流-脉冲：36A
• 雪崩电流：9A
• 雪崩能量：4mJ
• 重复雪崩能量：2mJ
• 功耗：2.5W
• 温度范围：-55~150℃

贴片MOS管 EMB26N10G的封装外形尺寸：