双N沟道增强型MOS 30V杰力晶体管 EMB21A03G SOP-8
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双N沟道增强型MOS 30V杰力晶体管 EMB21A03G SOP-8
30V杰力晶体管 EMB21A03G的主要参数：
30V杰力晶体管 EMB21A03G的极限参数：
30V杰力晶体管 EMB21A03G的电气特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 1.5 | 3 | |
| 栅极漏电流 | IGSS |
|
|
±100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) |
|
18 | 21 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss |
|
520 |
|
pF |
| 输出电容 | Coss |
|
88 |
|
|
| 反向传输电容 | Crss |
|
62 |
|
|
| 栅源电荷密度 | Qgs |
|
1.6 |
|
nC |
| 栅漏电荷密度 | Qgd |
|
2.8 |
|
|
| 开启延迟时间 | td(on) |
|
9 |
|
nS |
| 上升时间 | tr |
|
12 |
|
|
| 关断延迟时间 | td(off) |
|
30 |
|
|
| 下降时间 | tf |
|
15 |
|
EMB21A03G
杰力
SOP-8
无铅环保型
贴片式
单件包装
中功率
