供应GM2341 SOT-23 -20V P沟道增强型MOSFET 场效应晶体管

供应GM2341 SOT-23 -20V P沟道增强型MOSFET 场效应晶体管

场效应晶体管 GM2341的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：-20V
• 栅极开启电压：-0.35~-0.9V
• 静态漏源导通电阻：55mΩ(ID=-3.3A,VGS=-4.5V)
• 输入电容：600pF
• 输出电容：120pF

场效应晶体管 GM2341的脚位图：

场效应晶体管 GM2341的极限参数：

• 漏极-源极电压：-20V
• 栅极-源极电压：±10V
• 漏极电流-连续：-4A
• 漏极电流-脉冲：-12A
• 总耗散功率：1200mW
• 结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃

场效应晶体管 GM2341的外形封装尺寸：