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产品型号:GOFORD G60N04(代ME60N04/STU432) 参数:40V 60A 封装:TO-252
备注:LED汽车前灯驱动/摩托车点火器专用低压小MOS管成品,厂家供应,优质封装,大量现货,量大价优,欢迎选购!
MOS管G60N04规格资料如下:
深圳市谷峰电子有限公司
GOFORDSEMICONDUCTOR谷峰半导体的全资子公司。
位于美国硅谷(半导体圣地)的美国公司主要从事产品的研发和设计,香港公司GOFORDSEMICONDUCTORHONGKONG负责整个亚太区的市场。
在深圳的谷峰电子GOFORDELECTRONICS和无锡的羿胜华业科技YISUNSCIENCE&TECHNOLOGY为中国市场的主要销售和运营机构。
GOFORDSEMI.谷峰半导体一直致力于研发和销售功率MOSFET产品,技术包括平面工艺,沟槽工艺和最先进的SPLITGATE技术。
产品专注于节能,可靠和不断创新,以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。
GOFORDSEMI.谷峰半导体致力于最大限度地满足客户的需求,为客户提供最可靠和最具成本优势的产品。
GOFORSEMI坚持不断创新,不断改善,建立与工程师和客户共同价值的合作伙伴。
GOFORDSEMI.拥有一组具有丰富半导体经验的设计、研发和销售团队,团队多数成员在世界一流公司有过丰富的工作经验。
GOFORDSEMI.广泛整合国外和亚太地区先进的生产技术和丰富的人力资源,在产品和市场上不断开拓创新。
产品种类: |
MOSFET |
制造商: |
GOFORD |
标准包装: |
2500PCS |
FET 型: |
N-channel |
VDSS: | 40V |
ID: | 60A |
RDS(no)@4.5V: |
|
RDS(no)@10V: | 7.3mΩ |
PD: | 65W |
封装: | TO-252 |
包装材料: | REEL |
Rohs: |
Lead free / RoHS Compliant |
40V耐压LED汽车大灯驱动电源NMOS管60N04 40V超低内阻
场效应管与三极管的各自应用特点1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。场效应管3.场效应管栅极几乎不取电流(ig»0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。4.场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
注:以上料号不全,更多MOS管料号请电询或者QQ咨询,谢谢!
G60N04
GOFORD
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
40V
60A