IRLR2705TR MOS晶体管 Infineon

IRLR2705TR MOS晶体管 Infineon

通道类型：N

最大连续漏极电流：28A

最大漏源电压：55V

驱动电压：4V～10V

封装类型：DPAK (TO-252)

安装类型：表面贴装

引脚数：3Pin

最大漏源电阻值：65mΩ

通道模式：增强

最大栅阈值电压：2V

最小栅阈值电压：1V

最大功率耗散：68W

栅极电荷：16.7 nC

正向跨导最小值：11S

下降时间：29ns

典型关闭延迟时间：21 ns  

典型接通延迟时间：8.9 ns

晶体管配置：单

最大栅源电压：-16 V、+16 V

晶体管材料：Si

工作温度：-55 °C～+175 °C

典型栅极电荷@Vgs：25 nC @ 5 V

最小包装：2000PCS

厂商：Infineon

逻辑电平门驱动

超低导通电阻

表面贴装（IRLR2705）

直引线（IRLU2705）

先进的工艺技术

快速切换