HK32F103CBT6A N沟道场效应管(MOSFET)

HK32F103CBT6A产品简介 HK32F103 系列使用高性能的 ARM® Cortex TM-M3 32 位的 RISC 内核，高工作 频率 120MHz，内置高达 128KB FLASH、20KB SRAM，1 个高性能计时器，3 个通用 计时器，2 个 SPI 串行同步通讯接口，2 个 I2C 串行通讯接口，3 个 USART 串行异步 通讯接口，1 个 USB2.0 Full Speed 串行通信接口，1 个 CAN 总线控制器，2 个 12 位 SAR 模拟数字转换器，1 个片内温度传感器。 这些丰富的外设配置，使得 HK32F103 微控制器适合于多种应用场景：  工业应用，可编程控制器、打印机、扫描仪  电机驱动和调速控制  物联网低功耗传感器终端  无人机飞控、云台控制  玩具产品  家用电器  智能机器人  智能手表、运动手环 2.2 产品特点  工作电压范围  双电源域：主电源 VDD 2.0V ~ 3.6V、备份电池电源 VBAT 1.8V ~ 3.6V  当主电源掉电时，RTC 模块可继续工作在 VBAT 电源下工作  当主电源掉电时，VBAT 电源下提供 20Byte 容量的备份寄存器  典型工作电流  动态功耗:175uA/MHz  Stop 待机功耗:10uA@3.3V  Standby 待机功耗:1.6uA@3.3V  VBAT RTC 功耗：2.3uA@3.3V  工作温度范围：-40oC ~ 105oC  时钟  外部 HSE：支持 4~16MHz 晶振，典型 8MHz 晶振  外部 LSE：32.768KHz 晶振  芯片上的 HSI 时钟：8MHz  芯片上的 LSI 时钟：40KHz  PLL 时钟HK32F103CBT6AHK32F103CBT6A