CJ2312 场效应管(MOSFET)

CJ2312)RDS（on）（Ω）ID（A）e Qg（典型）


20


VGS=4.5 V 6a时的0.028


VGS下的0.042=2.5 V 6a 8.8 nC


VGS=1.8 V 5.6时为0.050


A.包装有限公司


B表面安装在1“x 1”FR4板上。


Ct=5秒。


D稳态条件下的大温度为125°C/W。


E基于TC=25°C。


大额定值TA=25°C，除非另有说明


参数符号限制单元


漏源极电压VDS 20 V栅源极电压VGS±12


连续漏电流（TJ=150°C）


TC=25°C


TC=70°C 5.1


TA=25°C 5b，C


TA=70°C 4b，C


脉冲漏电流IDM 20


连续源漏二极管电流


TC=25°C

1.75


TA=25°C 1.04b，C


大功耗


TC=25°C


PD


2.1


W


TC=70°C 1.3


TA=25摄氏度1.25摄氏度


TA=70°C 0.8b，C


工作连接和存储温度范围TJ，Tstg-55至150°C


焊接建议（峰值温度）260


热阻额定值


参数符号典型大单位


与环境B、d和t的大连接≤ 5 s RthJA 80 100°C/W
CJ2312CJ2312