LTE-C211 光耦 光合晶体管输出

LTE-C211 光耦 光合晶体管输出   

LTE-C211 光耦 光合晶体管输出

1.1特点

■

电流传输比（CTR:MIN.40%atlp=10mA，VcE=5V）

■

高集电极-发射极电压

VcEo=70V

■高输入输出隔离电压

总数=5000个虚拟机

响应时间（在VCE=10V、IC=2mA、RL=1002时，tr:TYP.5us）

双列直插式组件：

CNY17-1-V、CNY17-2-V、CNY17-3-V、CNY17-4_V

宽引线间距封装：

人民币17-1M-V、人民币17-2M-V、人民币17-3M-V、人民币17-4M-V

表面安装组件：

CNY17-1S-V、CNY17-2S-V、CNY17-3S-V、CNY17-4S-V

磁带和卷盘包装：

CNY17-1S-TA-V、CNY17-2S-TA-V、CNY17-3S-TA-V、CNY17-4S-TA-V

CNY17-1S-TA1-V、CNY17-2S-TA1-V、CNY17-3S-TA1-V、CNY17 4S-TA1-V

1.2申请

■电源调节器

数字逻辑输入

微处理器输入

■设备传感器系统

工业控制