全新 2SA2034 TO-252 TOSHIBA 进口原装 贴片三极管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市木兴高科电子有限公司

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晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。


东芝硅PNP晶体管三扩散类型

高压开关应用

z高压:VCBO =−400 V

z高速:tf = 0.3μs(max)(IC =−1.0)

收集器−基地电压VCBO−400 V

收集器−发射极电压VCEO−400 V

发射极电压VEBO−基地−7 V直流IC−2

集电极电流脉冲ICP−4

一个基极电流IB−1Ta = 25°C 1收集器功耗Tc = 25°C

个人电脑15结温Tj 150°C 存储温度范围测试−55 ~ 150°C


型号/规格

2SA2034

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

极性

PNP型

Collector−base voltage VCBO −400 V

Collector−base voltage VCBO −400 V

Collector−emitter voltage VCEO −400 V

Collector−emitter voltage VCEO −400 V

Emitter−base voltage VEBO −7 V

Emitter−base voltage VEBO −7 V

DC IC −2 Collector current Pulse ICP −4

DC IC −2 Collector current Pulse ICP −4