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晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集结结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
东芝硅NPN型晶体管三扩散类型
高电压切换应用程序
开关式应用程序
直流-直流变换器的应用程序
•高速开关:tr = 0.5μs(max)= 0.3μs特遣部队(max)(IC = 0.8)
•高击穿电压收集器:VCEO = 400 V
•高直流电流增益:hFE = 40(min)(IC = 0.2)
集电极-基极电压VCBO 600 V
Collector-emitter VCEO电压400 V
发射极基极电压VEBO 7 V直流IC 2
集电极电流脉冲ICP 4
一个基极电流0.5磅Ta = 25°C 1.0收集器的力量耗散Tc = 25°C
个人电脑15W结温Tj150°C 存储温度范围测试−55到150°C
2SC5548A
TOSHIBA(东芝)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
Collector-base voltage VCBO 600 V
Collector-emitter voltage VCEO 400 V
Emitter-base voltage VEBO 7 V
Storage temperature range Tstg −55 to 150 °
YFW13005AT TO-220AB晶体管 YFW佑风微
BD675 TO-126三极管 YFW佑风微
BD136 TO-126三极管 YFW佑风微
2SC4177 SOT-323晶体管 YFW佑风微
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