IPW60R037CSFD进口原装现货

IPW60R037CSFD代理进口原装现货

IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子

IPW60R037CSFD CoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低栅电荷（Qg）和改进的开关行为，它在目标市场提供了最的效率。除此之外，它还配备了集成的快体二极管，大大减少了反向恢复电荷（Qrr），从而使谐振拓扑具有最的可靠性。由于这些特点，IPW60R037CSFD符合非车载电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。

特征描述

超快体二极管

一流的反向恢复费用（Qrr）

改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性

最FOM RDS（开）x Qg和Eoss

一流的RDS（on）/软件包组合

优势

电动汽车充电应用的最 效率

实现更高的功率密度

最可靠性水平

可以选择正确的RDS（on）包组合

潜在应用

电动汽车充电-优化相移全桥（ZVS），LLC和PFC应用。适用于软、硬交换拓扑。

Parametrics IPW60R037CSFD

ID (@25°C)   max 25.0 A

ID   max 25.0 A

IDpuls   max 236.0 A

Mounting THT

Operating Temperature   min  max -55.0 °C   150.0 °C

Ptot   max 245.0 W

Package TO-247

Pin Count 3.0 Pins

Polarity N

QG 136.0 nC

QG (typ @10V) 136.0 nC

RDS (on)   max 37.0 mΩ

RDS (on) (@10V)   max 37.0 mΩ

VDS   max 600.0 V

VGS(th)   min  max 3.5 V   4.5 V