供应STP110N8F6 MOSFET进口原装

地区:广东 深圳
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STP110N8F6 MOSFET进口原装正品

STP110N8F6 MOSFET进口原装正品

STP110N8F6 MOSFET进口原装正品

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 150 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 200 W

通道模式: Enhancement

高度: 15.75 mm  

长度: 10.4 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 48 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 61 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 162 ns  

典型接通延迟时间: 24 ns  

单位重量: 330 mg  


型号/规格

STP110N8F6

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

超大功率

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Id-连续漏极电流

110 A

工作温度

+ 175 C

封装

TO-220-3