供应BSC117N08NS5进口原装

地区:广东 深圳
认证:

深圳市宇集芯电子有限公司

VIP会员9年

全部产品 进入商铺

BSC117N08NS5

BSC117N08NS5

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 49 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single Quad Drain Triple

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 19 S  

CNHTS: 8541210000  

开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7  

下降时间: 3 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 16 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

零件号别名: BSC117N08NS5 SP001295028  

单位重量: 506.600 mg

型号/规格

BSC117N08NS5

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Id-连续漏极电流

49 A

Vgs th-栅源极阈值电压

2.2 V

工作温度

+ 150 C