供应FDV303N SOT23-3 ON 场效应管(MOSFET)

FDV303N SOT23-3 ON 场效应管(MOSFET)
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
680 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
1.2 mm
长度
2.9 mm
系列
FDV303N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
正向跨导 - 小值
1.45 S
下降时间
8.5 ns
上升时间
8.5 ns
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
FDV303N_NL
单位重量
8 mg
可售卖地
全国
型号
FDV303N FDV303N
FDV303N SOT23-3 ON 场效应管(MOSFET)
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