IPD15N06S2L-64 TO252 INFINEON

IPD15N06S2L-64 TO252 INFINEON
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: +175 C
Pd-功率耗散: 47 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
IPD15N06S2L-64 TO252 INFINEON
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