分立半导体晶体管FET STD10P6F6 表面贴装

品牌  ： STM

型号：     STD10P6F6

STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的领导者。 凭借在硅晶和系统专业知识、强大的制造能力、知识产权 (IP)组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用。

基本参数

数据列表       STx10P6F6;

最小包装   2,500 卷带

  类别  晶体管 - FET，MOSFET - 单

规格

FET 类型      P 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   60V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）        10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        10V

不同Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）   160 毫欧 @ 5A，10V

不同Id 时的 Vgs（th）（最大值）        4V @ 250μA

不同Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）       6.4nC @ 10V

Vgs（最大值）        ±20V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）       340pF @ 48V

FET 功能      -

功率耗散（最大值） 35W（Tc）

工作温度       175°C（TJ）

安装类型       表面贴装

封装       DPAK

封装/外壳     TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63