SI2304DDS-T1-GE3 原装现货

地区:广东 深圳
认证:

深圳市国芯佳品半导体有限公司

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技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms
Qg-栅极电荷: 4.5 nC
封装: Reel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.7 W
产品: MOSFET Small Signal
系列: SI2
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
晶体管类型: 1 N-Channel
零件号别名: SI2304DDS-GE3
单位重量: 1.438 g
型号/规格

SI2304DDS-T1-GE3

品牌/商标

VIS

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率