图文详情
产品属性
相关推荐
ISO7841DWR 器件是一款高性能四通道数字隔离器,隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 时,该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。
ISO7841DWR配有使能引脚,可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于 高阻抗状态, 也可用于降低功耗。ISO7841 器件具有 3 个正向通道和 1 个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7841DWR器件默认输出高电平,ISO7841DWR器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 部分。
与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术,ISO7841 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。
ISO7841 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。产品特性信号传输速率:高达 100Mbps宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V2.25V 和 5V 电平转换宽温度范围:–55°C 至 +125°C低功耗:电流典型值为 1.7mA/通道(1Mbps 时)低传播延迟:典型值为 11ns
(5V 电源供电时)业界领先的共模瞬态抗扰度 (CMTI)(最小值):±kV/μs100kV/μskV/μs优异的电磁兼容性 (EMC)系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护低辐射隔离栅寿命:> 40 年末尾新增了一段内容宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项安全及管理批准:中的安全及管理批准列表中的安全及管理批准列表中的安全及管理批准列表中的安全及管理批准列表8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证所有 DW 封装认证已完成;DWW 封装认证已完成,符合 UL、VDE、TUV 标准并计划进行 CSA 和 CQC 认证8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证所有 DW 封装认证已完成;DWW 封装认证已完成,符合 UL、VDE、TUV 标准并计划进行 CSA 和 CQC 认证应用工业自动化电机控制电源太阳能逆变器医疗设备混合动力电动汽车
TI德州仪器
ISO7841DWR
SOIC16
32650
请来电
供应EPM570F256C5N 原装进口 EPM570F256C5N 参数 规格书 单价
SI4848DY-T1-E3 N沟道MOS管 单价
STM32L476RET6 低功耗单片机 原装特价
供应EP2S60F484I4N 原装进口 EP2S60F484I4N 参数 规格书 单价
供应EP4CGX150CF23I7N原装进口 EP4CGX150CF23I7N参数 规格书 单价
供应EPF10K20RI240-4N原装进口 EPF10K20RI240-4N参数 规格书 单价
TPS54335ADDAR线性稳压器 原装特价
供应EP4CE40F23C8N 原装进口 EP4CE40F23C8N参数 规格书 单价
供应AD6654CBC 原装进口 AD6654CBC 参数 规格书 单价
TPS61093DSKR 电源管理芯片 原装特价