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产品属性
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该AO3419采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发DS ( ON),低栅极电荷和操作门电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作负荷开关应用。
AO3419特性
VDS -20V
ID (at VGS=-10V) -3.5A
RDS(ON) (at VGS= -10V) < 85mΩ
RDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 102mΩ
RDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 140mΩ
典型的ESD保护
AO3419规格
FET 类型 MOSFET P 通道
FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 400pF @ 10V
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装 SOT-23-3L
AOS
AO3419
SOT23
65600
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