AO3419 20V -3.5A/P沟道MOS管

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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该AO3419采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发DS ( ON),低栅极电荷和操作门电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作负荷开关应用。

AO3419特性

VDS                                       -20V

ID (at VGS=-10V)                    -3.5A

RDS(ON) (at VGS= -10V)        < 85mΩ

RDS(ON) (at VGS= -4.5V)       < 102mΩ

RDS(ON) (at VGS= -2.5V)       < 140mΩ

典型的ESD保护

AO3419规格

FET 类型 MOSFET P 通道

FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源极电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 400pF @ 10V

功率 - 最大值 1.4W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装 SOT-23-3L




品牌

AOS

型号

AO3419

封装

SOT23

库存

65600

单价

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