HGT1S7N60C3D UFS系列N沟道IGBT

HGT1S7N60C3D是MOS门控高压开关器件的MOSFET相结合的最佳功能和双极型晶体管。

这些器件具有高输入MOSFET的阻抗和低的导通状态导通损失一个双极晶体管组成。

在低得多的导通电压降变化只是适度的25oC和150oC.该IGBT采用的是发育类型TA49115 。

二极管在与IGBT反并联使用的是发育类型TA49057.

HGT1S7N60C3D适用于多种高压开关在中等频率工作的应用中，低导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机控制，电源和驱动电磁阀，继电器和接触。

HGT1S7N60C3D 特点：

4A ， 600V在TC= 25oC

600V开关SOA能力

典型下降时间................... 140ns在TJ= 150oC

短路额定值

低传导损耗

超快反并联二极管