AOV 4A 双N沟道MOSFET

产品概述

AO4892使用沟MOSFET技术独特的优化提供最有效的高频开关性能。传导和开关功率损耗最小化由于极低的RDS(on)、独联体和输出电容。这个设备是理想的提振消费者转换器和同步整流器,电信、工业电源和LED背光。

AO4892 产品特点

VDS                    100V

ID (at VGS=10V) 4A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 68mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 94mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AO4892 产品原理图

AO4892 一般信息

数据列表AO4892;

SO8 Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列规格FET 类型2 个 N 沟道（双）FET 功能标准漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）68 毫欧 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）415pF @ 50V功率 - 最大值2W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SOIC