IRFP90N20D 功率MOS管 原装特价

高频DC- DC转换器

Lead-Free

IRFP90N20D

产品好处

低栅极 - 漏极电荷降低开关损耗

充分界定电容含有效的COSS为简化设计， （见应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压和电流

IRFP90N20D

产品原理图

IRFP90N20D

产品一般信息

数据列表IRFP90N20DPbF;标准包装25包装散装类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®其它名称*IRFP90N20DPBF 规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）270nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6040pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）580W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）23 毫欧 @ 56A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3