FQT7N10L 场效应管 原装特价

FQT7N10L

产品概述

该 N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQT7N10L

产品特性

1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：5.8nC)

低 Crss（典型值10pF)

100% 经过雪崩击穿测试

100% avalanche tested

FQT7N10L

产品应用

LED 电视

消费型设备

照明

FQT7N10L

产品一般信息

数据列表FQT7N10L;

MA04A Pkg Drawing;标准包装4,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列QFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）290pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）350 毫欧 @ 850mA，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-223-4