AON6522 N沟道 DFN 场效应管

产品概述

•最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术

•非常低的RDS（on ），在4.5VGS

•低栅极电荷

•高电流能力

•符合RoHS和无卤素标准

AON6522产品应用

•在电脑，服务器和POL DC / DC转换器

•在电信和工业隔离DC / DC转换器

AON6522产品概述

VDS                  25V

ID (at VGS=10V) 200A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.95mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 1.3mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AON6522产品图

AON6522产品参数

数据列表AON6522;

DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）25V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）71A（Ta），200A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）145nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7036pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）7.3W（Ta），83W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）0.95 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-DFN（5x6）封装/外壳8-PowerSMD，扁平引线