FDV302P P沟道 数字FET 特价 进口原装

FDV302P

产品描述

这些P沟道逻辑级增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏置电阻，该P沟道FET能替代一些具有不同偏置电阻的数字晶体管，如DTCx和DCDx系列。

FDV302P

产品特性

-25V、-0.12A（连续值）、-0.5A（峰值） RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V。

栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5V。

栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。>6kV人体模型。

紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

用一个DMOS FET替代多个PNP数字晶体管（DTCx和DCDx）。

FDV302P

产品一般信息

数据列表FDV302P;

Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.31nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）11pF @ 10VVgs（最大值）±8VFET 功能-功率耗散（最大值）350mW（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 欧姆 @ 200mA，4.5V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3