IRFP4227PBF 200V/65A 功率MOS管

IRFP4227PBF特点

先进的工艺技术

PDP维持的关键参数进行了优化,

能量回收,通过切换应用程序

低EPULSE评级降低功率

在PDP维持耗散,能量回收

并通过切换应用程序

低的路上快速响应

高重复峰值电流能力

运行可靠

短暂的下降和上升时间快速切换

175°C操作结温提高强度

重复的雪崩能力的鲁棒性和可靠性

IRFP4227PBF描述

这HEXFET®功率MOSFET是专门为设计延;能量回收&旁路开关应用在等离子显示面板。这MOSFET采用最新的加工技术，以实现每硅片面积和低辐射低导通电阻脉冲投资评级。这个额外的功能MOSFET在175℃工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，使这MOSFET一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。

IRFP4227PBF概述

IRFP4227PBF产品一般信息

数据列表IRFP4227PBF;标准包装25包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）98nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4600pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）330W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）25 毫欧 @ 46A，10V工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3