AOD409 60V/26A/TO-252/P沟道MOS管

产品描述

在AOD409 / AOI409采用先进沟道技术提供了优秀的研发RDS （ ON），低栅极电荷和低栅极电阻。具有优异的耐热性的DPAK封装的，该装置很适合于高电流负载的应用。

AOD409产品目录

VDS                                -60V

ID (at VGS=-10V)             -26A

RDS(ON) (at VGS=-10V)   < 40mΩ

RDS(ON) (at VGS=-4.5V)  < 55mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AOD409产品原理图

AOD409产品技术参数

数据列表AOD409

TO252 (DPAK) 标准包装2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）26A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）40 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）54nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）3600pF @ 30V功率 - 最大值2.5W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装TO-252，（D-Pak）