STW48NM60N 600V TO-247 功率MOS管

特点

100％的雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低门输入电阻

STW48NM60N应用

切换应用程序

STW48NM60N描述

这个设备是一个N沟道功率MOSFET使用的第二代开发的MDmesh ™技术。这一革命性的力量MOSFET相关联的垂直结构的公司的带布局，产生了世界上的一个的导通电阻和栅极电荷。这是因此，适用于最苛刻的高效率的转换器。

STW48NM60N产品概述

STW48NM60N产品一般信息

数据列表STW48NM60N;标准包装30包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列MDmesh™ II规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）124nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4285pF @ 50VVgs（最大值）±25VFET 功能-功率耗散（最大值）330W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）70 毫欧 @ 20A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247封装/外壳TO-247-3