FDMS030N06B 60V/100A N沟道MOS管

FDMS030N06B概述

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDMS030N06B特性

RDS(on) = 2.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A

先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 RDS(on) 和高效率

快速开关速度

100% 经过 UIL 测试

符合 RoHS 标准

FDMS030N06B产品一般信息

数据列表FDMS030N06B;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）22.1A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）75nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7560pF @ 30VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），104W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3 毫欧 @ 50A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-PQFN（5x6），Power56封装/外壳8-PowerTDFN