AO4459 30V/P沟道/功率MOS管

AO4459概述

该AO4459结合了先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供非常低RDS（ON）。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。

AO4459产品参数

VDS                            -30V

ID (at VGS=-10V)        -6.5A

RDS(ON) (at VGS=-10V) < 46mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 72mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AO4459一般信息

数据列表AO4459 Datasheet;

SO8 Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.5A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）830pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）46 毫欧 @ 6.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）