IRFP360PBF 400V 功率MOS管

IRFP360PBF特性

•动态的dV / dt评级

•重复雪崩额定

•孤立的中央安装孔

•快速交换

•易于并联

•简单驱动要求

•符合RoHS指令2002/95 / EC

IRFP360PBF描述

第三代功率mosfet的威世为设计师提供快速交换的最佳组合,加固的设备设计、低导通电阻和成本效益。

在TO- 247封装的首选商业工业应用更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于早期的隔离安装的TO- 218封装，因为洞。它也提供了更大之间的爬电距离销，以满足大多数安全技术规范的要求。

IRFP360PBF产品概述

IRFP360PBF一般信息

数据列表IRFP360;标准包装500包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称*IRFP360 规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）400V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）210nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4500pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）280W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）200 毫欧 @ 14A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3