IRFU1N60A 600V/1.4A 场效应管

产品特性

•低闸极电荷路上导致简单的驱动要求

•改善门,雪崩和动态dV / dt强度

•完全具有电容和雪崩电压和电流

•材料分类:合规的定义请参阅

IRFU1N60A应用程序

•开关模式电源(smps)

•不间断电源

•功率因数校正

IRFU1N60A典型SMPS拓扑

•低功率晶体管的回程

IRFU1N60A概述

IRFU1N60A产品参数数据列表IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_1N60A;标准包装75包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称*IRFU1N60A

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.4A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）229pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）36W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7 欧姆 @ 840mA，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-251AA封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA