IRF9640 P沟道功率MOS管 单价

特点

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

P沟道

快速开关

易于并联的

简单的驱动要

求铅（Pb ） ，免费提供

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合，加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功率耗散水平，以约50瓦的低热阻和TO- 220封装低的成本导致其广泛接受整个行业。

产品原理图

IRF9640订购信息

IRF9640绝对最大额定参数(TC = 25°C,除非另外说明)

IRF9640一般信息

数据列表IRF9640, SiHF9640;

Packaging Information;标准包装1,000包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1200pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）125W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）500 毫欧 @ 6.6A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3