IRLBA/30V MOS管 单价

IRLB3813产品应用

优化UPS /逆变器应用

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

电动工具

IRLB3813好处

非常低RDS （ ON）在4.5V VGS

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压和电流

LEAD -FREE

IRLB3813产品原理图

IRLB3813产品详细信息

N通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRLB3813产品一般信息

数据列表IRLB3813PbF;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.35V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）86nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）8420pF @ 15VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）230W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.95 毫欧 @ 60A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3