AO3422 55V 2.1A SOT-23 场效应MOS管

产品概述

该AO3422采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发RDS（ON）和低栅极电荷。它提供运行在一个很宽的栅极驱动范围从2.5V至12V 。此装置适用于使用作为负载开关。

AO3422产品特点

VDS (V) = 55V

ID = 2.1A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 160mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 200mΩ (VGS = 2.5V)

AO3422产品原理图

AO3422产品一般信息

数据列表AO3422;

SOT23 Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）3.3nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）300pF @ 25VVgs（最大值）±12VFET 功能-功率耗散（最大值）1.25W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）160 毫欧 @ 2.1A，4.5V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3L封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3