供应IRFI4019H-117P 单价 参数 规格书 IRFI4019H-117P 原装进口 PDF

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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制造商: IR
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 150 V 
Id-连续漏极电流: 8.7 A 
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 13 nC 
最小工作温度: - 40 C 
配置: Half-Bridge 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
晶体管类型: 2 N-Channel  
宽度: 4.4 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 3.1 ns  
Pd-功率耗散: 18 W  
上升时间: 6.6 ns  
工厂包装数量: 1000  
典型关闭延迟时间: 13 ns  
典型接通延迟时间: 7 ns  
零件号别名: SP  
单位重量: 6 g


深圳市廊宇达科技有限公司是一家专业的半导体独立分销机构,拥有多年市场推广与销售运作经验,在中国地区曾经服务的客户达到3000个以上,60%为工业生产型客户(OEM工厂),30%为电子类贸易商,10%为研究机构和高等院校。 廊宇达科技有限公司以香港为中心,在深圳设立电子事业部,主要负责亚洲区域内电子元器件的销售与客户的开拓和维护。 廊宇达关注高端产品路线,产品广泛应用于通讯网络、军用设备、医疗机械、精密仪器。廊宇达坚持全新原装标准,所有产品符合原厂技术。擅长偏冷门、停产半导体产品的销售。

品牌

VISHAY IR

型号

IRFI4019H-117P

封装

TO220

批号

2016

单价

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