TK20A25D 250V/20A 功率MOS管

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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TK20A25D应用

•开关稳压器

TK20A25D特性

(1) 低漏源极导通电阻: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.)

(2)低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)

(3) 增强模式: Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TK20A25D包装和内部电路

TK20A25D产品一般信息

数据列表Mosfets Prod Guide;

TK20A25D;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列π-MOSVII规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)250V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)20A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)55nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2550pF @ 100VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)45W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)100 毫欧 @ 10A,10V工作温度150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 整包



品牌

TOSHIBA

型号

TK20A25D

封装

TO220

库存

65600

单价

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