AO4435 场效应管 原装特价

产品概述

该AO4435采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发RDS（ON），和超低低栅极电荷用25V的栅极评级。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。

-RoHS标准

产品参数

VDS = -30V

ID = -10.5A (VGS = -20V)

RDS(ON) < 14mΩ (VGS = -20V)

RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 36mΩ (VGS = -5V)

100% UIS Tested 100% Rg TestedAO4435

产品原理图

AO4435

产品一般信息

数据列表AO4435 Datasheet;

SO8 Pkg Drawing;标准包装3,000类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，20V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1400pF @ 15VVgs（最大值）±25VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）14 毫欧 @ 11A，20V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）