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IRFB7446PBF
好处
改进的大门,雪崩和动态dV / dt强度
SOA完全具有电容和雪崩
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅*
通过无铅认证无卤*
IRFB7446PBF
产品原理图
IRFB7446PBF
产品参数
数据列表IRFB7446PBF;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®,StrongIRFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)120A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)93nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3183pF @ 25VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)99W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.3 毫欧 @ 70A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
IR
IRFB7446PBF
TO220
65600
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