FDPF12N60NZ 高压 MOSFET 原装特价

FDPF12N60NZ

产品描述

UniFET™ II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

FDPF12N60NZ

产品特点

RDS(on) = 530mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A栅极电荷低（典型值：26nC)

低 Crss（典型值12pF)

100% 经过雪崩击穿测试

提高了 dv/dt 性能

改进了 ESD 防护能力

符合 RoHS 标准

RoHS compliant

FDPF12N60NZ

产品原理图

FDPF12N60NZ

产品一般信息数据列表FDP(F)12N60NZ;标准包装50类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列UniFET-II™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）34nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1676pF @ 25VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）39W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）650 毫欧 @ 6A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220F封装/外壳TO-220-3 整包