IPP072N10N3G

IPP072N10N3G产品描述:100 v OptiMOS™家人提供优越的解决方案效率高,能量密度高smp。这个家族相比,下一个最好的技术达到减少30% R DS(上)和FOM(品质因数)。IPP072N10N3G产品特点:优秀的切换性能

世界的R DS(上)

非常低的Q g和Q gd

优秀的闸极电荷x R d()产品(FOM)

RoHS compliant-halogen免费

MSL1额定2IPP072N10N3G产品好处:环境友好型

提高效率

最高功率密度

少需要并联

最小的白板空间消费

易于设计产品IPP072N10N3G产品特性•n沟道,正常水平

•优秀的闸极电荷x R d()产品(FOM)•非常低的导通电阻R DS(上)

•175°C的操作温度

•Pb-free镀铅;通过无铅认证

•根据JEDEC1合格)为目标应用程序

•适合高频开关和同步整流

IPP072N10N3G一般信息数据列表IPP,IPI072N10N3 G标准包装  500包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™其它名称IPP072N10N3 G

IPP072N10N3 G-ND

IPP072N10N3G

SP

IPP072N10N3G规格FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.2 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 90μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）68nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4910pF @ 50V功率 - 最大值150W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装PG-TO-220-3