FQP27P06 P 沟道增强型功率 MOSFET

FQP27P06产品描述该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。FQP27P06产品特性-27A, -60V, RDS(on) = 70mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -13.5A栅极电荷低（典型值：33nC)

低 Crss（典型值120pF)

100% 经过雪崩击穿测试

175°C最大结温额定值"

FQP27P06一般信息数据列表FQP27P06

TO220B03 Pkg Drawing

标准包装  50包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列QFET®

FQP27P06规格FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）27A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）70 毫欧 @ 13.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）43nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1400pF @ 25V功率 - 最大值120W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220-3