IPD60R3K3C6 N沟道MOSFET 单价

IPD60R3K3C6概述

CoolMOS™C6结合英飞凌的经验为主导superjunction MOSFET供应商与一流的创新。快速切换的C6设备提供所有好处SJ MOSFET,而不会牺牲易用性。极低的切换和传导损失使切换应用程序更加高效、紧凑、轻和冷却器。

600 v CoolMOS™C6是替代600 v CoolMOS™C3

650 v CoolMOS™C6是替代650 v CoolMOS™C3

IPD60R3K3C6特征描述:

简单的控制开关的行为

极低的损失非常低品质因数(Q R DS(上)* g和E oss)

非常高的变换强度

易于使用的

更好的轻载效率比C3

出色的可靠性和证明CoolMOS™质量结合高体二极管强度

更好的价格性能相比以前CoolMOS™代

更有效率,更紧凑、更轻和冷却器

IPD60R3K3C6优势:

提高功率密度

提高可靠性

通用部分既可以用在软、硬切换拓扑

更好的轻载效率

提高效率在硬切换应用程序

提高易用性

减少可能的响由于pcb布局和包的寄生效应

IPD60R3K3C6目标应用:

消费者

适配器

eMobility

服务器与电信PFC阶段

smp

电脑电源

太阳能

照明