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产品属性
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AOD417概述
本AOD417采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发RDS( ON),低栅极电荷和低栅极电阻。
具有优异的耐热性的DPAK封装的,该装置很适合于高电流负载的应用。
-RoHS标准
卤素免费*
AOD417参数
VDS (V) = -30V
ID = -25A (VGS = -10V)
RDS(ON) < 34mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 55mΩ (VGS = -4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
AOD417一般信息
数据列表AOD417;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)25A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)16.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)920pF @ 15VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)2.5W(Ta),50W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)34 毫欧 @ 20A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装封装TO-252,(D-Pak)封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
AOS
AOD417
TO252
65600
请来电
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