AOD417 功率MOS管 30V25A 单价

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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AOD417概述

本AOD417采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发RDS( ON),低栅极电荷和低栅极电阻。

具有优异的耐热性的DPAK封装的,该装置很适合于高电流负载的应用。

-RoHS标准

卤素免费*

AOD417参数

VDS (V) = -30V

ID = -25A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 34mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 55mΩ (VGS = -4.5V)

100% UIS Tested!

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AOD417一般信息

数据列表AOD417;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)25A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)16.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)920pF @ 15VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)2.5W(Ta),50W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)34 毫欧 @ 20A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装封装TO-252,(D-Pak)封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63



品牌

AOS

型号

AOD417

封装

TO252

库存

65600

单价

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