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产品属性
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TK7P60W应用
开关稳压器
TK7P60W特性
漏源极低导通电阻:RDS()= 0.5Ω(typ)。
通过使用超结结构:DTMOS
容易控制门开关
增强模式:Vth = 2.7到3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.35 mA)
TK7P60W包装和内部电路
TK7P60W一般信息
数据列表TK7P60W;标准包装2,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7A(Ta)不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 350μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)490pF @ 300VFET 功能超级结功率耗散(最大值)60W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)600 毫欧 @ 3.5A,10V工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装封装DPAK封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TOSHIBA
TK7P60W
TO252
65600
请来电
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