AO3400A N沟道/30V5.7A/MOS管 原装进口

AO3400A一般描述

结合了先进的沟MOSFET

技术与低电阻包提供

极低的RDS(上)。该设备适合使用

负荷开关或脉宽调制的应用程序

产品目录

VDS                     30V

ID (at VGS=10V) 5.7A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 26.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 32mΩ

RDS(ON) (at VGS = 2.5V) < 48mΩ

AO3400A封装图

AO3400A绝对最大额定参数

一般信息数据列表AO3400A

SOT23 Pkg Drawing

标准包装  3,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称785-1000-2

规格FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.7A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）26.5 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）630pF @ 15V功率 - 最大值1.4W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3L