FDD2670 3.6A/200V场效应管

FDD2670产品概述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

FDD2670产品特性

3.6 A, 200 V

RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10V

低栅极电荷

快速开关速度

高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

高功率和高电流处理能力

FDD2670产品原理图

FDD2670产品技术参数通道类型N最大连续漏极电流3.6 A最大漏源电压200 V最大漏源电阻值0.275 Ω最小栅阈值电压2V最大栅源电压±20 V封装类型TO-252安装类型表面贴装晶体管配置单引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散70 W典型接通延迟时间23 ns每片芯片元件数目1宽度6.22mm高度2.39mm最高工作温度+150 °C长度6.73mm工作温度-55 °C尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm典型关断延迟时间48 ns典型输入电容值@Vds1228 pF@ 100 V典型栅极电荷@Vgs10 V 时，27 常闭